硅片晶圓生產(chǎn)清洗工藝中,使用超聲波清洗機有效去除硅片晶圓表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破壞晶片表面特性。根據(jù)不同清洗工藝配置相應的清洗單元,各部分有獨立控制,隨意組合
1、爐前清洗:擴散前清洗。
2、光刻后清洗:除去光刻膠。
3、氧化前自動清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、拋光后自動清洗:除去切、磨、拋的沾污。
5、外延前清洗:除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面鈍化前清洗:除去鋁布線后,表面雜質(zhì)及光膠殘渣。
7、離子注入后的清洗:除去光刻膠,SiO2層。
8、擴散預淀積后清洗:除去預淀積時的BSG和PSG。
9、CVD后清洗:除去CVD過程中的顆粒。
10、附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物
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