之前有消息稱，臺積電正在籌集更多的資金，為的是向ASML購買更多更*制程的EUV光刻機(jī)，而這些都是為了新制程做準(zhǔn)備。
在不久前舉辦的線上活動中，歐洲微電子研究中心IMEC*執(zhí)行官兼總裁Luc Van den hove在線上演講中表示，在與ASML公司的合作下，更加*的光刻機(jī)已經(jīng)取得了進(jìn)展。
Luc Van den hove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得光刻機(jī)競爭對手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場，目前ASML把握著主要的*光刻機(jī)產(chǎn)能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機(jī)，目前目標(biāo)是將工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。
目前ASML已經(jīng)完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計，至于設(shè)備的商業(yè)化。要等到至少2022年，而等到臺積電和三星拿到設(shè)備，之前要在2023年。
與此同時，臺積電在材料上的研究，也讓1nm成為可能。臺積電和交大聯(lián)手，開發(fā)出薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體，可望借此進(jìn)一步開發(fā)出2納米甚至1納米的電晶體通道。
據(jù)悉，臺積電正為2nm之后的*制程持續(xù)覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺積電評估中*投資設(shè)廠的考量之列。
原標(biāo)題：狂購EUV光刻機(jī)：臺積電開始為1nm制程做準(zhǔn)備
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