筱曉光子 GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體
總覽
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。
晶體類型
窗片 晶體規(guī)格
5 x 5 x 0.35mm 技術(shù)參數(shù)
GaSe晶體的透過率曲線
實(shí)驗(yàn)室光路系統(tǒng)
EOS測量及反演結(jié)果
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:26
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