總覽
GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過(guò)對(duì)GaSe晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。
注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。
GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體,GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體產(chǎn)品特點(diǎn)
● 太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域
● 抗損傷閾值高
● 非線性系數(shù)大
● CO2激光的SHG
● 多種尺寸可選
● 客戶導(dǎo)向的解決方案
● 接受客戶定制服務(wù)
產(chǎn)品應(yīng)用
● 太赫茲時(shí)域系統(tǒng)
● 太赫茲源晶體
● 中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè)
● CO2激光的SHG
● THZ實(shí)驗(yàn)光源
● 太赫茲成像
技術(shù)參數(shù)
GaSe晶體的透過(guò)率曲線
實(shí)驗(yàn)室光路系統(tǒng)
EOS測(cè)量及反演結(jié)果
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:35
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