InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 (非制冷型)
總覽
InGaAs 雪崩光電二管（APD）是短波近紅外單 光子檢測(cè)的用器件，可滿(mǎn)足量子通信、弱光探測(cè)等 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。
光譜響應(yīng)
900-1700nm 響應(yīng)度
@1550nm 0.85 A/W 技術(shù)參數(shù)
線性模式參數(shù)
| 產(chǎn)品型號(hào) | IGA-APD-GM104-R | |||||
| 參數(shù) | 符號(hào) | 單位 | 測(cè)試條件 | 小 | 典型 | 大 |
| 反向擊穿電壓 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
| 響應(yīng)度 | Re | A/W | 22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
| 暗電流 | ID | nA | 22℃±3℃ ，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
| 電容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
| 擊穿電壓溫度 系數(shù) | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
蓋革模式參數(shù)
| 參數(shù) | 單位 | 測(cè)試條件 | 小 | 典型 | 大 |
| 單光子探測(cè)效 率PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse 泊松分布單光子源 | 20 | ||
| 暗計(jì)數(shù)率DCR | kHz | -45℃ ，1ns門(mén)寬， 2MHz門(mén)控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% |
20* | ||
| 后脈沖概率 APP | -45℃ ，1ns門(mén)寬， 2MHz門(mén)控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% |
1× 10-3 | |||
| 時(shí)間抖動(dòng)Tj | ps | -45℃ ，1ns 門(mén) 寬 ，2MHz門(mén)控重頻，PDE=20% | 100 | ||
* 可提供不同等規(guī)格產(chǎn)品
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:26
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