器件為硅PIN 光電二管，在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。
8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器,8mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器特點(diǎn)：
平面正照結(jié)構(gòu)
快速響應(yīng)
低暗電流
高響應(yīng)度
高可靠性
應(yīng)用域：
光纖通信、傳感、測距
可見光至近紅外域的光探測
快速光脈沖檢測
各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
產(chǎn)品參數(shù)：
| 參數(shù) | 符 號(hào) | 測試 條件 | 典 型 值 | 單位 | ||||||||||||
| 光敏面尺寸 | Φ0.2 | Φ0.5 | Φ1 | Φ2 | Φ4 | Φ5 | Φ8 | 0.5X0.5 | 1X1 | 1.3X1.3 | 2X2 | 3X3 | mm | |||
|
光參數(shù) | 光譜響應(yīng) 范圍 |
λ |
400~1100 |
nm | ||||||||||||
|
響應(yīng)度 |
Re | VR=15V λ=900nm |
0.40 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0．55 |
0.45 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
A/W | |
|
響應(yīng)時(shí)間 |
tr | VR=15V， RL=50Ω |
2 |
5 |
6 |
8 |
15 |
15 |
25 |
3.5 |
5 |
8 |
10 |
15 |
nS | |
| 電參數(shù) | 暗電流 | ID | VR=15V | 1 | 2 | 3 | 5 | 12 | 40 | 60 | 3 | 3 | 4 | 6 | 10 | nA |
| 反向擊穿 電壓 |
VBR |
IR=10μA |
100 |
50 |
80 |
V | ||||||||||
|
電容 |
Cj | f=1MHz VR=15V |
0.8 |
1.2 |
2.0 |
6 |
20 |
30 |
70 |
6.0 |
3 |
3 |
10 |
25 |
pF | |
| 工作電壓 | VR | 0~15 | V | |||||||||||||
|
管座型號(hào) | 同軸 II 型、5501、 TO46、插拔式、帶尾纖 |
T0-5 |
TO-8 | 同軸 II 型、5501、 TO46、插拔式、T05 |
T0-5 | |||||||||||
| 飽和光功率0.3w/cm2 | ||||||||||||||||
*器件的光敏面尺寸及技術(shù)指標(biāo)可根據(jù)用戶的使用要求而定;具體參數(shù)及器件管殼使用引腳詳見產(chǎn)品附帶參數(shù)表.
封裝尺寸：
| 封裝圖片 | 尺寸信息 | 訂購代碼 |
 |
|
C-II |
|
|
|
TO46 |
|
|
|
5501 |
|
|
|
TO5A |
|
|
|
TO5B |
|
|
|
TO8 |
|
|
|
FC-SA |
|
|
|
ADP |
注意事項(xiàng)
該器件在反向偏置電壓下工作,注意器件性不能接反。
光纖彎曲度不能小于 45 度。
器件在貯運(yùn)、使用中注意靜電防護(hù)措施。
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:35
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。