砷化鎵(GaAs)的生產(chǎn)采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長(zhǎng)技術(shù)。 由于它是含砷的，應(yīng)注意處理和工作中的預(yù)防措施。砷化鎵(GaAs)晶體的化學(xué)穩(wěn)定性好，硬度高，抗惡劣環(huán)境能力很強(qiáng)，它在2-16μm光譜范圍有很好的透過(guò)率，廣泛應(yīng)用于熱紅外成像系統(tǒng)，大功率CO2激光光學(xué)系統(tǒng)和FLIR系統(tǒng)。在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境很差，光學(xué)鏡頭或窗口需要反復(fù)擦拭的條件下，砷化鎵(GaAs)常被用來(lái)替代硒化鋅(ZnSe)作為紅外鏡頭或窗口的材料。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 化學(xué)穩(wěn)定性好
● 硬度高
● 抗惡劣環(huán)境能力很強(qiáng)
產(chǎn)品應(yīng)用
● 太赫茲時(shí)域系統(tǒng)
● 太赫茲源窗片
● 科學(xué)實(shí)驗(yàn)室研究
● 遠(yuǎn)紅外光學(xué)
● 高功率CO2激光器
● 熱紅外成像系統(tǒng)
● FLIR系統(tǒng)
參數(shù)
| 直徑公差 | +0/-0.005“ （+0/-0.13 毫米） |
| 厚度公差 | ± 0.005英寸（±0.13毫米） |
| 通光孔徑 | 85% |
| 排比 Parallelism | 3弧分(3 arc min) |
| 平整度 Flatness | 10.6微米的1/10波 (1/10 wave at 10.6 microns) |
| 表面光潔度 | 60/40 |
| 基板材料 | 砷化鎵 |
| 傳輸范圍： | 1-16μm |
| 折射率： | 3.2727 @10.33μm |
| 反射損失： | 44％@10.33μm |
| 吸收系數(shù)： | 0.01cm-1 |
| 吸收峰： | n / a |
| dn / dT： | 147×10-6/℃ @ 10μm for derivation |
| dn /dμ= 0： | 6.3μm |
| 密度： | 5.315g/cm3 |
| 熔點(diǎn)： | 1511℃ |
| 熱導(dǎo)率： | 48 W m-1K-1@273K |
| 熱膨脹： | 5.7×10-6/℃@300K |
| 硬度： | Knoop 750 |
| 比熱容： | 360 JKg-1K-1 |
| 介電常數(shù)： | 在低頻下為12.91 |
| 楊氏模量（E）： | 84.8GPa |
| 剪切模量（G）： | n / a |
| 體積模量（K）： | 75.5GPa |
| 彈性系數(shù)： | n / a |
| 表觀彈性限： | 71.9 MPa |
| 泊松比： | 0.31 |
| 溶解性： | 不溶于水 |
| 分子量： | 144.64 |
| 類/結(jié)構(gòu)： | 立方ZnS，F(xiàn)43m，（100）裂解 |
折射率（O光）
| µm | No | µm | No | µm | No |
| 1.033 | 3.492 | 1.550 | 3.3737 | 2.066 | 3.338 |
| 2.480 | 3.324 | 3.100 | 3.3125 | 4.133 | 3.3027 |
| 4.959 | 3.2978 | 6.199 | 3.2921 | 7.293 | 3.2874 |
| 8.266 | 3.2831 | 9.537 | 3.2769 | 10.33 | 3.2727 |
| 11.27 | 3.2671 | 12.40 | 3.2597 | 13.78 | 3.2493 |
| 15.50 | 3.2336 | 17.71 | 3.2081 | 19.07 | 3.1866 |
光譜透射曲線
| 訂購(gòu)型號(hào) | 規(guī)格(D×L)(mm) | 光譜范圍 |
| GAASP10-0.3 | 10.0×0.3mm | IR |
| GAASP25.4-2 | 25.4×2.0mm | IR |
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:35
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